RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 6, страницы 141–143 (Mi jtf9489)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Влияние электрического поля на хемоэмиссию электронов с поверхности полупроводников

В. Ф. Харламов

Орловский государственный технический университет, 302010 Орел, Россия

Аннотация: Установлено: если энергия, выделяющаяся при образовании молекул продукта в ходе гетерогенной реакции, меньше работы выхода поверхности, тогда с ростом напряженности электрического поля $E$ плотность тока хемоэмиссии электронов с поверхности любого полупроводника увеличивается по экспоненциальному закону $j=C\exp(\beta E)$, где $C$ и $\beta$ – коэффициенты. Теоретические результаты качественно соответствуют экспериментальным данным, полученным в случае слабых электрических полей ($0<E< 5\cdot 10^6$ V/m) при гетерогенной рекомбинации атомов водорода на поверхности кремния.

Поступила в редакцию: 05.10.2009


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:6, 893–895

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026