Аннотация:
Проанализированы и обобщены экспериментальные данные по энергиям связи Si 2$p$ электронов в ряде стабильных и метастабильных силицидов железа, сформированных методом твердофазной эпитаксии на двух реконструированных гранях монокристаллического кремния – Si(100)2 $\times$ 1 и Si(111)7 $\times$ 7. Измерения спектров остовных электронов проводились методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения. Показано, что значения энергии связи Si 2$p$ электронов в стабильных силицидах, а также твердом растворе кремния в железе, возрастают с увеличением содержания в них кремния. Это обусловлено ослаблением роли межатомной релаксации в акте возбуждения фотоэлектрона.
Полный текст:
PDF файл (136 kB)
