И. Л. Шульпина, Р. Н. Кютт, В. В. Ратников, И. А. Прохоров, И. Ж. Безбах, М. П. Щеглов, “Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников”, ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 4,страницы 105

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Оптика, квантовая электроника

Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников

И. Л. Шульпина^a, Р. Н. Кютт^a, В. В. Ратников^a, И. А. Прохоров^b, И. Ж. Безбах^b, М. П. Щеглов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-исследовательский центр "Космическое материаловедение" Института кристаллографии РАН, Калуга, Россия

Аннотация: На примере монокристаллов Si(As,P,B) и GaSb(Si) продемонстрированы возможности рентгенодифракционных методов диагностики (определения реальной структуры) сильнолегированных кристаллов полупроводников. Особое внимание уделено характеризации состояния примеси – находится она в кристаллах в виде твердого раствора или на разных стадиях его распада. Найдено оптимальное сочетание рентгеновских методов для получения наиболее полной информации о микросегрегации и структурной неоднородности в кристаллах со слабым и сильным поглощением рентгеновских лучей. Основой этого сочетания являются методы рентгеновской дифрационной топографии и дифрактометрии с повышенной чувствительностью к значениям напряжения кристаллической решетки.

Поступила в редакцию: 26.02.2009