Эта публикация цитируется в 3 статьях

Твердотельная электроника

Выращивание монокристаллов CdP$_2$ тетрагональной модификации и свойства барьеров на их основе

В. Ю. Рудь^a, Ю. В. Рудь^b, И. В. Боднарь<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Аннотация: Методом парофазной кристаллизации впервые получены крупные (диаметр $\simeq$ 20 mm, длина $\simeq$ 50 mm) монокристаллы CdP$_2$ тетрагональной симметрии. Определены параметры элементарной ячейки и при этом показано соответствие состава выращенных монокристаллов стехиометрии дифосфида кадмия. Созданы фоточувствительные структуры In(Cu)/CdP$_2$ и исследованы спектры их фоточувствительности. На основании этих исследований установлен широкополосный характер фоточувствительности, обсуждаются природа процессов фотопреобразования, характер межзонных переходов, а также определены ответственные за краевое поглощение значения ширины запрещенной зоны для непрямых и прямых межзонных переходов. Сделан вывод о возможности использования монокристаллов CdP$_2$ в широкодиапазонных фотопреобразователях оптических излучений.

Поступила в редакцию: 07.09.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:4, 517–520

Реферативные базы данных:

•