В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, А. А. Маматов, О. М. Жигалина, А. Н. Кускова, А. Л. Чувилин, “Влияние внутренних деформационных полей на управляемость наноразмерных сегнетоэлектрических пленок в планарном конденсаторе”, ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 3,страницы 77

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельная электроника

Влияние внутренних деформационных полей на управляемость наноразмерных сегнетоэлектрических пленок в планарном конденсаторе

В. М. Мухортов^a, Ю. И. Головко^a, А. А. Маматов^a, О. М. Жигалина^b, А. Н. Кускова^b, А. Л. Чувилин^c

^a Южный научный центр РАН, 344006 Ростов-на-Дону, Россия
^b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, 119333 Москва, Россия
^c University of Ulm, Germany

Аннотация: Рентгенодифракционными методами и просвечивающей электронной спектроскопией высокого разрешения исследованы наноразмерные сегнетоэлектрические гетероэпитаксиальные пленки Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$, выращенные по слоевому механизму роста на подложках (100) MgO. Установлено, что при изменении толщины пленок релаксация напряжений происходит посредством образования дислокаций нсоответствия на границе раздела между пленкой и подложкой. Существует критическая толщина ($\sim$40 nm) пленок, ниже которой в пленках имеют место напряжения растяжения, а выше – напряжения сжатия. Приведены примеры влияния напряжений на диэлектрические характеристики пленок.

Поступила в редакцию: 08.07.2009