RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 2, страницы 88–91 (Mi jtf9377)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельная электроника

Эффект электрического переключения с памятью в гидратированном аморфном диоксиде ванадия

В. В. Путролайнен, П. П. Борисков, А. А. Величко, А. Л. Пергамент, Н. А. Кулдин

Петрозаводский государственный университет, 185910 Петрозаводск, Россия

Аннотация: Проанализируем экспериментальные данные по эффекту электрического переключения с памятью в МОМ-структуре на основе гидратированной двуокиси ванадия, полученной методом анодно-катодной поляризации. Предложенная модель, предполагающая ключевую роль ионного тока в механизме переключения, определяет основные критические параметры материала, влияющие на формирование эффекта: концентрацию и подвижность ионов примеси. Полученная при моделировании эффекта переключения полевая зависимость подвижности ионов интерпретируется в рамках прыжкового механизма переноса по теории протекания.

Поступила в редакцию: 01.04.2009


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:2, 247–250

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026