RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 2, страницы 77–82 (Mi jtf9375)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельная электроника

Интеркалатные структуры с $\delta$-топологической зоной чередующихся полупроводников и магнитоактивных нанослоев и их импедансное поведение в магнитном и электрическом поле

Н. Т. Покладокa, И. И. Григорчакa, Я. М. Бужукb

a Национальный университет ``Львовская политехника'', 79013 Львов, Украина
b Львовский национальный университет им. И. Франко, 79000 Львов, Украина

Аннотация: Лазерно-стимулированным методом сформированы гибридные наноструктуры $\delta$-топологической конфигурации на основе слоистого полупроводника InSe с внедренным в области ван-дер-ваальсовых связей его кристаллической структуры хромом ($\delta$-ТНИС). В таких структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект при комнатных температурах и слабых магнитных полях. В сформированных структурах проявляется сильная магнитофазовая чувствительность и достигается высокочастотный индуктивный отклик, управляемый постоянным электрическим полем, приложенным перпендикулярно нанослоям.

Поступила в редакцию: 12.01.2009


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:2, 236–241

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026