Аннотация:
Методом термодесорбции гелия из предварительно насыщенных в газовой фазе кристаллов при температуре 613, 673 K в диапазоне значений давления насыщения 0–21 MPa проведены исследования диффузии и растворимости гелия в керамике Ce$_{0.8}$Gd$_{0.2}$O$_{1.9-\delta}$ ($\delta$ = 0; 0.015) с субмикрокристаллической структурой. Показано, что в исследованной керамике ($\delta$ = 0) реализуется дефектно-ловушечный механизм диффузии. Основными позициями для растворения являются нейтральные анионные вакансии, получающиеся в результате термической диссоциации примесно-вакансионных комплексов и насыщаемые до $\sim$1 $\cdot$ 10$^{19}$ cm$^{-3}$ при $P$ = 6 MPa и $T$ = 673 K. Получены оценки энергии диссоциации комплекса $\sim$2 eV и энергии растворения гелия в нейтральной анионной вакансии – не более -0.3 eV.
Поступила в редакцию: 22.01.2009 Принята в печать: 08.04.2009