Стимулирование вторичной отрицательной ионной эмиссии имплантацией ионов щелочных металлов в поверхностный слой твердого тела и последующего его нагрева
Аннотация:
Предложен новый метод стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии, основанный на имплантации ионов щелочных металлов в поверхностный слой твердого тела и последующем его нагреве при температуре, обеспечивающей оптимальное покрытие поверхности атомами-активаторами (около 0.5 монослоя), щелочными атомами. Показано, что путем подбора дозы имплантации щелочных ионов (10$^{18}$–10$^{19}$ cm$^{-3}$) и температуры нагрева поверхности исследуемого образца (500–900$^\circ$C) можно достичь такой степени возобновляемого покрытия поверхности атомами–активаторами, при котором ее работа выхода становится самой минимальной: $e\varphi$ = 1.9 eV – для молибдена и 2.1 eV – для меди. Установлено, что при таких подобранных величинах дозы имплантации (облучения) и температуры нагрева образца можно за счет диффузии атомов цезия из объема на поверхность достичь такой степени покрытия поверхности, которая сохраняется за время непрерывного распыления поверхности пучком ионов цезия.
Поступила в редакцию: 06.02.2007 Принята в печать: 07.04.2009
Полный текст:
PDF файл (570 kB)
