Эта публикация цитируется в 7 статьях

Твердотельная электроника

Кинетическая модель роста нитевидных нанокристаллов арсенида галлия

М. Н. Лубов^abc, Д. В. Куликов^ab, Ю. В. Трушин<sup>abc

a</sup> Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, 195220 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Академический физико-технологический университет РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана кинетическая модель роста и формирования кристаллических структур нитевидных нанокристаллов арсенида галлия при молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхностях, активированных каплями Au. Проведены расчет и сравнение с экспериментальными данными толщины чередующихся слоев кубической и гексагональной фаз, возникающих из-за флуктуаций состава раствора в капле.

Поступила в редакцию: 01.04.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:1, 85–91

Реферативные базы данных:

•