Фотоника

Фотоэлектрические свойства аморфных пленок Ga$_2$O$_3$, легированных фосфором и селеном

С. Н. Подзывалов^ab, В. М. Калыгина^a, А. Б. Лысенко<sup>ab

a</sup> Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
^b ООО "Лаборатория оптических кристаллов", 634040 Томск, Россия

Аннотация: Представлены данные по влиянию селена и фосфора на электрические и фотоэлектрические характеристики пленок оксида галлия. Планарные структуры резистивного типа металл–Ga$_2$O$_3$–металл получены на сапфировых подложках ВЧ-магнетронным напылением, расстояние между Pt-электродами составляло 1 mm. Исследовано влияние Se и P, а также смеси Se + P на темновые токи и фототоки образцов при воздействии излучений с длиной волны $\lambda$ = 254 и 808 nm.

Ключевые слова: оксид галлия, легирование, сапфировая подложка, УФ излучение.

Поступила в редакцию: 24.03.2025
Исправленный вариант: 23.09.2025
Принята в печать: 25.09.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.01.62046.45-25