Термоэлектрические свойства квантовых точек InGaAs/GaAs

Ю. М. Кузнецов^ab, М. В. Дорохин^a, П. Б. Демина^a, Н. В. Байдусь^a, А. В. Здоровейщев<sup>a

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
^b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Приведены исследования термоэлектрических характеристик структур, представляющих собой массив квантовых точек InAs, сформированных на полуизолирующей подложке GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Описаны теоретические основы возрастания термоэлектрической эффективности в системах пониженной размерности по отношению к объемным аналогам. Путем сопоставления результатов измерения температурных зависимостей термоэлектрических характеристик и фотолюминесценции (для оценки термического выброса носителей заряда) продемонстрировано влияние массива квантовых точек на величину коэффициента Зеебека и удельного сопротивления. Показано, что введение в структуру массива квантовых точек с достаточно большим размером нанокластеров обеспечивает усиление термоэлектрического эффекта и соответственно повышение фактора мощности.

Ключевые слова: термоэлектрики, термоэлектрическая эффективность, квантовые точки, тонкие пленки, наноразмерные структуры.

Поступила в редакцию: 01.04.2025
Исправленный вариант: 16.06.2025
Принята в печать: 03.07.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.01.62045.59-25