Аннотация:
Испытания на радиационную стойкость датчиков многократно нарушенного полного внутреннего отражения и их оптоэлектронных компонентов (свето- и фотодиодов) на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs показали устойчивость их основных параметров к воздействию гамма-излучения при небольших дозах облучения ($\le$ 0.1 MGy, $^{60}$Co); при дозах же облучения от $\sim$0.2 до $\sim$2 MGy выявлено увеличение темнового тока и шумов датчиков при одновременном уменьшении фототока фотодиода, а также обнаружен процесс частичного восстановления этих параметров после выдержки при 300 K. Анализ зависимости спектральной плотности низкочастотного токового шума от периметра и площади $p$–$n$-переходов позволил сделать вывод об определяющем вкладе радиационных дефектов, формируемых на периферии меза-диодов в процессе их облучения большими дозами ($\sim$2 MGy), в величину шума.
Полный текст:
PDF файл (699 kB)