RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2011, том 81, выпуск 11, страницы 130–134 (Mi jtf9294)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Формирование тонких пленок сплава Гейслера Co$_2$FeSi на поверхности монокристаллического кремния

М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изучены начальные стадии роста пленок сплава Гейслера Co$_2$FeSi на поверхности Si(100)2 $\times$ 1 по методу реактивной эпитаксии и найдены условия формирования данного соединения. Обнаружено, что при температуре подложки, меньшей или равной 180$^\circ$C, на поверхности образца растет островковая пленка тройного сплава Co–Fe–Si, содержание кремния в котором ниже, чем в синтезируемом соединении. Пленка становится сплошной при покрытиях более 1.2 nm. Показано, что повысить содержание кремния в пленке и сформировать сплав Гейслера требуемого состава можно с помощью послеростового отжига при температуре 240$^\circ$C. Исследование магнитных свойств формируемых пленок, проведенное in situ, показало, что их ферромагнитное упорядочение носит пороговый характер и обнаруживается на стадии коалесценции островкового сплава Co–Fe–Si.

Поступила в редакцию: 25.04.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:11, 1670–1674

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026