Эта публикация цитируется в 3 статьях

Твердотельная электроника

Высоковольтный быстрый диод с “мягким” восстановлением

И. В. Грехов^a, А. В. Рожков^a, Л. С. Костина^a, А. В. Коновалов^b, Ю. Л. Фоменко<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b АО "ВЗПП-Микрон", 394033 Воронеж, Россия

Аннотация: Высоковольтные быстродействующие кремниевые $p^+Nn^+$-диоды, используемые практически во всех современных преобразователях электроэнергии, должны иметь малое остаточное напряжение в проводящем состоянии и в то же время быстро переключаться с малыми коммутационными потерями в запертое состояние, не создавая при этом всплесков перенапряжения. Такое сочетание параметров обеспечивается обычно путем создания профильного распределения концентрации рекомбинационных центров в $N$-базе с максимумом у $p^+N$-перехода. Подобное распределение создается с помощью облучения в вакууме $p^+Nn^+$-диода со стороны $p^+N$-перехода протонами либо $\alpha$-частицами. Приведены результаты исследования диодов, в которых профильное распределение центров получено более простым и производительным методом облучения электронами в определенном диапазоне энергий на воздухе. На примере приборов разработанной авторами конструкции с блокируемым напряжением до 5 kV показано, что все динамические характеристики диодов соответствуют мировому уровню, а остаточное напряжение в проводящем состоянии при рабочей плотности тока примерно на 30% меньше.

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:10, 1429–1433

Реферативные базы данных:

•