Д. М. Шукурова, А. С. Орехов, Б. З. Шарипов, В. В. Клечковская, Т. С. Камилов, “Исследование фотодиодов на основе Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M”, ЖТФ, 2011, том 81, выпуск 10,страницы 44

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Твердотельная электроника

Исследование фотодиодов на основе Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M

Д. М. Шукурова^a, А. С. Орехов^b, Б. З. Шарипов^a, В. В. Клечковская^b, Т. С. Камилов^a

^a Ташкентский государственный технический университет им. А. Р. Беруни, 700095 Ташкент, Узбекистан
^b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, 119333 Москва, Россия

Аннотация: Проведен анализ экспериментальных фото-вольт-амперных характеристик диодов Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M. Рассмотрена природа протекания тока в процессе освещения с $h\nu\ge E_g$. Проанализирована роль контакта с Mn$_4$Si$_7$ при образовании высокой фоточувствительности при освещении базы диодов с $h\nu\ge$ 1.14 eV при низких температурах 77–220 K. На основе данных электрических и электронно-микроскопических исследований границы раздела фаз Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$, а также фото-вольт-амперных характеристик построена структура энергетических зон в состоянии прохождения фототоков. Высокая фоточувствительность $(I_{\mathrm{ph}}/I_{\mathrm{d}}\ge 10^9)$ диодов при низких температурах, объяснена как модуляцией проводимости базовой области (за счет ударной ионизации), так и инжекционным усилением дырок в переходном слое.

Поступила в редакцию: 16.11.2010