Эта публикация цитируется в 5 статьях

Твердотельная электроника

Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb

Л. С. Лунин, А. С. Пащенко

Южный научный центр РАН, 344006 Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Представлены результаты моделирования световых вольт-амперных и ватт-вольтовых характеристик для варьируемых условий (последовательного сопротивления, температуры, диодного параметра $A$) и исследования абсолютной спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей GaAs, GaSb. Показано, что на величину напряжения холостого хода наибольшее влияние оказывают величина диодного параметра $A$ и температура $T$, а на КПД фотоэлектрического преобразователя – последовательное сопротивление и диодный параметр. Показана перспективность использования фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb и GaAs в каскадных солнечных элементах для преобразования концентрированного солнечного излучения.

Поступила в редакцию: 29.09.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:9, 1291–1296

Реферативные базы данных:

•