Аннотация:
Приведен аналитический обзор современного состояния фотолитографии, ее основных приемов, позволивших достичь результатов, еще несколько лет тому назад казавшихся невероятными. Так, современная фотолитография в глубоком ультрафиолете дает возможность достаточно точного воспроизведения в интегральных схемах элементов, в 25 раз меньших длины волны излучения используемого для этих целей эксимерного лазера. Рассмотрены приемы, обеспечивающие оптической литографии возможность столь значительного преодоления дифракционного предела по Рэлею-Аббе. среди них коррекция оптической близости, введение искусственного фазового сдвига, иммерсия, двойное экспонирование, двойное паттернирование и др. Проанализированы перспективы дальнейшего развития фотолитографии в нанометровом диапазоне, при этом сопоставлены ее возможности с электронолитографией и литографией в экстремальном ультрафиолете и мягком рентгене.
Список цитирования
