Оптика, квантовая электроника

Взаимодействие оптического излучения с управляемой концентрационной и статической диэлектрической неоднородностью в узкозонных полупроводниках

В. В. Антонов^a, В. А. Кузнецов<sup>b

a</sup> Саратовский государственный технический университет, 410054 Саратов, Россия
^b Саратовский государственный аграрный университет имени Н. И. Вавилова, 410600, Саратов, Россия

Аннотация: Показано, что в некоторых полупроводниках возможно создание управляемой концентрационной неоднородности, которая вызывает отклонение падающего на нее лазерного луча. В антимониде индия этот эффект возникает при температурно-электрической неустойчивости в магнитном поле. В соединении на основе GaAs–GaP этот эффект происходит за счет встроенного градиента статической диэлектрической проницаемости и группировки электронного потока. Рассмотренные эффекты позволяют использовать их для создания дефлектора инфракрасного излучения.

Поступила в редакцию: 12.07.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:7, 1003–1008

Реферативные базы данных:

•