Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe

Р. Г. Валеев^ab, А. Н. Бельтюков^ab, В. М. Ветошкин^b, Э. А. Романов^b, А. А. Елисеев<sup>c

a</sup> Физико-технический институт Уральского отделения РАН, 42600 Ижевск, Россия
^b Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия
^c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Представлен подход к созданию электролюминесцентных устройств, в которых впервые применен рабочий слой из селенида цинка в нанокомпозитном (нанокристаллит в аморфной матрице) состоянии. В отличие от классических тонкопленочных электролюминесцентных источников, для получения излучения с заданной длиной волны в предлагаемых устройствах не требуется легирование рабочего слоя примесями. Для опытного образца устройства исследованы вольт-амперная характеристика и импеданс электролюминесцентного конденсатора. Представлен также спектр электролюминесценции, который имеет максимум при длине волны 335 nm.

Поступила в редакцию: 15.09.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:6, 896–898

Реферативные базы данных:

•