RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2011, том 81, выпуск 5, страницы 111–114 (Mi jtf9133)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Влияние электронного облучения на процесс окисления индия

О. Г. Ашхотов, Д. А. Крымшокалова, И. Б. Ашхотова

Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, 360004 Нальчик, Россия

Аннотация: Исследована кинетика окисления индия для двух случаев – при непрерывном электронном облучении ($E_p$ = 1800 eV) и без электронного облучения в зависимости от экспозиции в среде кислорода при парциальном давлении кислорода 10$^{-4}$ Pa и комнатной температуре. Начальная экспозиция кислорода составляла 50 Лэнгмюр. При непрерывном электронном облучении на кинетических кривых наблюдается наличие двух изломов, к которым можно привязать три состояния процесса окисления – физосорбцию, хемосорбцию с образованием нестехиометрического оксидного слоя и рост однородного оксидного слоя. При окислении без электронного облучения в пределах времени эксперимента наблюдался только первый излом, а дальнейшая экспозиция не приводила к выходу на второй излом.

Поступила в редакцию: 13.10.2010


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:5, 697–700

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026