Эта публикация цитируется в 7 статьях

Оптика, квантовая электроника

Трехволновая дифракция в нарушенных эпитаксиальных слоях с вюрцитной структурой

Р. Н. Кютт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены экспериментальные измерения трехволновой дифракции рентгеновских лучей по схеме Реннингера для серии эпитаксиальных слоев GaN различной толщины и разного структурного совершенства. В каждом угловом интервале азимутального вращения в 30$^\circ$ наблюдаются все 10 трехволновых пиков, обусловленных геометрией дифракции с первичным запрещенным отражением 0001 и CuK$_{\alpha}$-излучением. Для каждой трехволновой комбинации измерены дифракционные кривые $\varphi$- и $\theta$-сканирования. Проанализированы угловая полуширина полученных дифракционных пиков и ее связь с параметрами двухволновой дифракционной картины и дислокационной структурой слоев. Показано, что пики $\varphi$-сканирования менее чувствительны к степени структурного совершенства, чем пики $\theta$-моды. Из последних наибольшая зависимость от плотности дислокаций наблюдается для трехволновых комбинаций $(1\bar{1}00)/(\bar{1}101)$ и $(3\bar{21}0)/(\bar{3}211)$ с чистой Лауэ-составляющей вторичного отражения, а наименьшая – для комбинации $(01\bar{1}3)/(0\bar{1}1\bar{2})$ с большой брэгговской составляющей. Обнаружено расщепление трехволновых пиков Реннингера, обусловленное крупноблочной структурой некоторых из исследованных слоев с разворотами блоков вокруг нормали к поверхности. Определена полная интегральная интенсивность всех трехволновых комбинаций, их соотношения качественно соотносятся с теорией.

Поступила в редакцию: 08.06.2010
Принята в печать: 29.09.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:5, 668–675

Реферативные базы данных:

•