Эта публикация цитируется в 18 статьях

Электронные и ионные пучки, ускорители

Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии

З. А. Исаханов, З. Э. Мухтаров, Б. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева

Институт электроники им. У. А. Арифова АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Определены тип, энергия, доза ионов и температура прогрева, которые позволяют обеспечить стабильную минимальную работу выхода поверхности в течение одного цикла эксперимента (не менее 2–3 min). Вторичные ионные масс-спектрограммы снимались с использованием ионов Cs$^+$, Ba$^+$ и Ar$^+$. В качестве объектов исследования использованы образцы Cu, Al и Mo. Установлены оптимальные режимы ионной имплантации и температура активации, обеспечивающие стабильную минимальную работу выхода поверхности исследуемых образцов. Образцы, имплантированные ионами Ba$^+$, выдерживают более высокие температурные и токовые нагрузки, чем образцы, имплантированные ионами Cs$^+$. Однако в случае Cs$^+$ работа выхода уменьшается больше (до 1.9 eV). Показано, что при $e\varphi\le$ 1.85–1.9 eV практически не наблюдается выход нейтральных распыленных частиц с поверхности.

Поступила в редакцию: 26.07.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:4, 546–549

Реферативные базы данных:

•