Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердое тело

Флуктуирующее кулоновское поле около поверхности ионных диэлектриков

С. Г. Пржибельский

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено аналитическое и численное исследование пространственного распределения плотности энергии флуктуирующего электрического поля около поверхности модельного ионного кристалла в зависимости от его температуры. Установлено, что плотность энергии флуктуирующего поля убывает с расстоянием $h$ от поверхности кристалла по закону $h^{-3.3}$. Энергия флуктуирующего поля увеличивается с ростом температуры, и она не нулевая при -273$^\circ$C из-за квантовых нулевых колебаний ионов в решетке.

Поступила в редакцию: 27.09.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:4, 496–499

Реферативные базы данных:

•