Теоретическая и математическая физика

Динамика движения электронов с энергиями до нескольких тераэлектрон-вольт в ориентированных кристаллах

И. З. Бекулова, М. Х. Хоконов

Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, 360004 Нальчик, Россия

Аннотация: Изучены стохастические аспекты динамики движения электронов с энергией от 150 GeV до нескольких тераэлектрон-вольт в кристаллах кремния и германия, ориентированных главными кристаллографическими направлениями вдоль оси пучка. В расчетах учитывается влияние излучения жестких $\gamma$-квантов на движение электронов, а также многократное рассеяние их на атомах кристалла-мишени. Рассчитаны времена жизни электронов в режиме каналирования и показано, что эта величина в точности совпадает с эффективной длиной каналирования, введенной ранее Кумаховым.

Поступила в редакцию: 18.05.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:4, 443–447

Реферативные базы данных:

•