С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов, Н. В. Алкеев, В. М. Котов, А. А. Дорофеев, Н. Б. Гладышева, “Гетероструктуры AlN/AlGaN для селективно-чувствительных MSM-детекторов ультрафиолетовой части спектра”, ЖТФ, 2011, том 81, выпуск 2,страницы 138

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Краткие сообщения

Гетероструктуры AlN/AlGaN для селективно-чувствительных MSM-детекторов ультрафиолетовой части спектра

С. В. Аверин^a, П. И. Кузнецов^a, В. А. Житов^a, Н. В. Алкеев^a, В. М. Котов^a, А. А. Дорофеев^b, Н. Б. Гладышева^b

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Московская область, Россия
^b АО "НПП "Пульсар", 105187 Москва, Россия

Аннотация: MSM-фотодетекторы на основе AlN/AlGaN-гетероструктур обладают низкими значениями темновых токов, а спектральные характеристики демонстрируют возможность использования для селективно-чувствительного солнечно-слепого детектирования с максимумом чувствительности на длине волны 240 nm.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 05.07.2010