Эта публикация цитируется в 5 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Особенности формирования короткопериодных многослойных композиций W/B$_4$C

И. А. Копылец^a, В. В. Кондратенко^a, Е. Н. Зубарев^a, Д. В. Рощупкин<sup>b

a</sup> Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Московская область, Россия

Аннотация: Методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии в Cu-$K_{\alpha}$-излучении и электронной микроскопии поперечных срезов изучались количественные характеристики межслоевого взаимодействия в многослойных периодических композициях W/B$_4$C, изготовленных магнетронным напылением. Установлено, что на образование перемешанных зон на границах слоев расходуется приблизительно 0.85 nm толщины слоя вольфрама. Перемешанные слои имеют плотность 13.4 $\pm$ 0.7 g/cm$^3$ и содержат вольфрам в связанном химически состоянии. Оценено влияние таких перемешанных зон на рентгеновскую отражательную способность многослойных композиций W/B$_4$C. Предложен способ оценки толщины слоев при малом количестве пиков на дифрактограмме.

Поступила в редакцию: 26.01.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:12, 1709–1715

Реферативные базы данных:

•