Аннотация:
Представлены результаты квантово-химических расчетов потенциального рельефа в решетке кристалла LaF$_3$ для кластеров, содержащих от 24 до 1200 ионов. Установлено, что для диэлектрической фазы значения энергии $E_a$ образования дефектов типа вакансия-межузельный ион фтора и потенциальных барьеров $E_d$, препятствующих перемещению ионов фтора, возрастают от минимальных значений $E_a = 0.12$ eV и $E_d = 0.22$ eV для кластера из 24 ионов до максимальных $E_a = 0.16$ eV и $E_d = 0.26$ eV для кластеров из 576 и 1200 ионов. Значения $E_a$ и $E_d$, полученные квантово-химическими расчетами, хорошо соотносятся с энергиями $E_a$ и $E_d$, полученными из анализа данных комбинационного и квазиупругого рассеяния света в кристалле.