Эта публикация цитируется в 7 статьях

Твердотельная электроника

МПМ-фотодиоды на основе широкозонных гетероструктур ZnCdS/GaP

С. В. Аверин^a, П. И. Кузнецов^a, В. А. Житов^a, Н. В. Алкеев^a, В. М. Котов^a, Л. Ю. Захаров^a, Н. Б. Гладышева<sup>b

a</sup> Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Московская область, Россия
^b АО "НПП "Пульсар", 105187 Москва, Россия

Аннотация: Высококачественные эпитаксиальные слои ZnCdS выращены на полупроводниковых подложках GaP методом MOCVD и на их основе изготовлены и исследованы фотодиодные структуры в системе выпрямляющих контактов металл–полупроводник–металл (МПМ). Диодные структуры характеризуются низкими величинами темновых токов. Установлена зависимость характеристик спектрального отклика детекторов от напряжения смещения. Длинноволновая граница отклика ZnCdS/GaP МПМ-фотодиода может сдвигаться с 355 до 440 nm при измерении напряжения смещения с 40 до 80 V. На длине волны максимальной фоточувствительности (355 nm) ампер-ваттная чувствительность детектора составила 0.1 A/W.

Поступила в редакцию: 16.12.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:11, 1514–1518

Реферативные базы данных:

•