RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 8, страницы 76–82 (Mi jtf8899)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельная электроника

Особенности наноструктурирования субмонослойных покрытий углерода, осажденных на поверхность монокристаллов кремния в низкотемпературной плазме СВЧ-разряда

В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 410019 Саратов, Россия

Аннотация: Изучены особенности поверхностного наноструктурирования субмонослойных углеродных покрытий, осажденных на пластины кремния с кристаллографическими ориентациями (111) и (100) в высокоионизованной сверхвысокочастотной плазме низкого давления. Показано влияние толщины покрытий и основных параметров режимов обработки на механизмы морфологических изменений с учетом реконструкции поверхности монокристаллическом кремнии и механических напряжений, возникающих при получении атомно-чистой поверхности в процессе плазмохимического травления, гетерогенной конденсации и высокотемпературном отжиге. С использованием наноструктурированных углеродных образований в качестве масочных покрытий и высокоанизотропного плазмохимического травления на монокристаллическом кремнии ориентации (100) получены интегральные столбчатые наносистемы с плотностью до (4–5) $\cdot$ 10$^9$ cm$^{-2}$ и высотой свыше 400 nm.

Поступила в редакцию: 29.03.2011
Принята в печать: 13.12.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:8, 1115–1120

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026