Аннотация:
Исследована методика измерения микроколичества диоксида кремния, находящегося на поверхности кремния. Методика основана на растворении тонких слоев SiO$_2$ в водных растворах фтористоводородной кислоты с последующим анализом полученных растворов с помощью сенсоров на основе перфторированных протонпроводящих мембран. Показана возможность количественного определения не менее 1 $\cdot$ 10$^{-6}$ mol диоксида кремния, находившегося на поверхности кремния.