RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 6, страницы 132–134 (Mi jtf8855)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Приборы и методы эксперимента

Измерение микроколичеств диоксида кремния на поверхности кремния с помощью сенсоров на основе перфторированных протонпроводящих мембран

С. Е. Никитинa, Е. И. Теруковa, С. В. Тимофеевb, Н. К. Манабаевc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Акционерное общество "Пластполимер", 195197 Санкт-Петербург, Россия
c Казахский национальный университет им. аль-Фараби, 480078 Алма-Ата, Казахстан

Аннотация: Исследована методика измерения микроколичества диоксида кремния, находящегося на поверхности кремния. Методика основана на растворении тонких слоев SiO$_2$ в водных растворах фтористоводородной кислоты с последующим анализом полученных растворов с помощью сенсоров на основе перфторированных протонпроводящих мембран. Показана возможность количественного определения не менее 1 $\cdot$ 10$^{-6}$ mol диоксида кремния, находившегося на поверхности кремния.

Поступила в редакцию: 16.08.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:6, 865–867

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026