Аннотация:
Исследована динамика отражательной способности на $\lambda$ = 0.53 $\mu$m и ИК-излучения кремния в интервале длин волн 0.9–1.2 $\mu$m в условиях наносекундного воздействия импульсов излучения рубинового лазера. При плотностях энергии облучения W ниже порога лазерно-индуцированного плавления поверхности полупроводникового кристалла подавляющий вклад в испускаемое им ИК-излучение обусловлен краевой фотолюминесценцией. С превышением порога плавления в наносекундной динамике детектируемого ИК-излучения наблюдается переход от фотолюминесценции к тепловому излучению образующегося расплава Si-фазы повышенной отражательной способности. Результаты пирометрических измерений пиковой температуры поверхности расплава в зависимости от W, получение на эффективной длине волны $\lambda_e$ = 1.04 $\mu$m детектируемого ИК-излучения, согласуются с данными аналогичных измерений на $\lambda_e$ = 0.53 и 0.86 $\mu$m.
Полный текст:
PDF файл (172 kB)
