Аннотация:
Установлено, что преобразование временного фотоотклика $I(t)$ кристалла в сигнатуру $I(t)-dI/dt$ фазовой плоскости позволяет определить парциальные вклады составляющих структуры фотоотклика и степень их взаимосвязи, а также предложить интегративные показатели устойчивости $B_{din}$ и асимметрии $K_{\lambda,E}$ структуры фотоотклика, отображающие влияние внешних и внутренних факторов соответственно.