RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 4, страницы 150–152 (Mi jtf8808)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Краткие сообщения

Структура временного фотоотклика полупроводниковых сенсоров

А. В. Бут, В. П. Мигаль, А. С. Фомин

Национальный аэрокосмический университет им. Н. Е. Жуковского "Харьковский авиационный институт", 61070 Харьков, Украина

Аннотация: Установлено, что преобразование временного фотоотклика $I(t)$ кристалла в сигнатуру $I(t)-dI/dt$ фазовой плоскости позволяет определить парциальные вклады составляющих структуры фотоотклика и степень их взаимосвязи, а также предложить интегративные показатели устойчивости $B_{din}$ и асимметрии $K_{\lambda,E}$ структуры фотоотклика, отображающие влияние внешних и внутренних факторов соответственно.

Поступила в редакцию: 18.08.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:4, 575–577

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026