RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 4, страницы 144–146 (Mi jtf8806)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Воздействие импульсного магнитного поля на галогенсеребряный фотографический процесс

Д. Р. Фролов, А. П. Бойченко

Кубанский государственный университет, 350040 Краснодар, Россия

Аннотация: На примере галогенсеребряных фотографических материалов отечественного и зарубежного производства исследовано воздействие импульсного магнитного поля на формирование изображений при их световой и газоразрядной экспозиции. Показано, что одиночный импульс поля напряженностью 4.2 kOe и длительностью 0.12 s, синхронизированный со световой вспышкой существенно повышает светочувствительность фотоматериалов и не влияет на нее до световой экспозиции. Предварительное воздействие на свежеизготовленные фотоматериалы серии из 250 импульсов магнитного поля с указанными характеристиками приводит к уменьшению их газоразрядной чувствительности, а у состарившихся в течение 8 лет – к ее увеличению.

Поступила в редакцию: 18.08.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:4, 569–571

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026