RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 4, страницы 90–98 (Mi jtf8798)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Влияние условий импульсного лазерного осаждения на трибологические свойства тонкопленочных наноструктурированных покрытий на основе диселенида молибдена и углерода

В. Ю. Фоминскийa, С. Н. Григорьевb, Р. И. Романовa, В. Н. Неволинc

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
b Московский станкоинструментальный институт "Станкин", 127994, Москва, Россия
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Исследованы структурное состояние и трибологические свойства градиентных и композитных антифрикционных покрытий, полученных методом импульсного лазерного соосаждения из двух мишеней MoSe$_2$(Ni) и графита. Покрытия наносились на стальные подложки в вакууме и в инертном газе, в том числе с применением противокапельного экрана, предотвращающего напыление из лазерного факела на покрытие частиц микронных размеров. Осаждение лазерного факела из графитовой мишени и приложение отрицательного потенциала к подложке обеспечивали дополнительную бомбардировку создаваемых покрытий высокоскоростными атомами. В результате сравнительных трибо-испытаний на воздухе с относительной влажностью $\sim$50% установлено, что “бескапельное” осаждение лазерно-инициированного атомарного потока в тени экрана позволяло заметно улучшить антифрикционные свойства покрытий MoSe$_x$, снижая коэффициент трения от 0.07 до 0.04. Однако наилучшие трибохарактеристики, сочетающие низкий коэффициент трения и повышенную износостойкость, обнаружены в условиях дополнительного легирования “бескапельных” покрытий MoSe$_x$ углеродом (до $\sim$55 at.%) и эффективной бомбардировки осаждаемых слоев высокоскоростными атомами. В таких условиях формировалась плотная нанокомпозитная структура, содержащая самосмазывающуюся MoSe$_2$-фазу и аморфную углеродную фазу с достаточно высокой концентрацией алмазных связей.

Поступила в редакцию: 29.03.2011
Принята в печать: 09.08.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:4, 516–523

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026