RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 4, страницы 13–18 (Mi jtf8788)

Эта публикация цитируется в 46 статьях

Атомы, спектры, излучение

Угловое распределение атомов при магнетронном распылении поликристаллических мишеней

Ю. В. Мартыненкоa, А. В. Роговa, В. И. Шульгаb

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, 119992 Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты измерений угловых распределений атомов при DC-магнетронном распылении поликристаллов Mg, Al, Cu, Ag, Ta, Pt, Au, Ti, Cr, Zn, Zr и Nb ионами Ar с энергией, не превышающей 0.5 keV. Предложена феноменологическая аппроксимация угловых распределений и найдены подгоночные параметры для каждого из рассмотренных элементов. С помощью компьютерного моделирования распыления, основанного на приближении парных столкновений, определен коэффициент пропорциональности между напряжением магнетронного разряда и средней энергией распыляющих ионов, а также потенциалы межатомного взаимодействия, дающие наиболее точное описание экспериментальных данных. Показано, что полуширина углового распределения, так же как и коэффициент распыления, имеет периодическую зависимость от атомного номера мишени Z$_2$, причем материалы с наибольшими коэффициентами распыления имеют наиболее узкое распределение распыленных атомов.

Поступила в редакцию: 18.04.2011
Принята в печать: 18.07.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:4, 439–444

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026