Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург
Матфизика и численные методы

Термоупругие напряжения, действующие в системах скольжения при выращивании из расплава методом Степанова (EFG) ленточных кристаллов оксида галлия

В. М. Крымов, Е. В. Галактионов, С. И. Бахолдин, С. В. Шапенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние анизотропии свойств кристалла оксида галлия на величину и распределение касательных напряжений, действующих в системах скольжения. Приведен алгоритм расчета касательных напряжений для кристаллов моноклинной сингонии. Найдены эквивалентные системы скольжения. Проведено сравнение распределений касательных термоупругих напряжений в различных системах скольжения для тонких кристаллических пластин оксида галлия, выращиваемых из расплава методом Степанова. Обнаружена корреляция расчетных касательных напряжений в ленте с ориентацией [010] $(\bar210)$ с экспериментальными данными по дислокационной структуре.

Ключевые слова: моноклинная сингония, матрица перехода, эквивалентные системы.

Поступила в редакцию: 30.04.2025
Исправленный вариант: 04.06.2025
Принята в печать: 04.06.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.12.61771.222-25

Реферативные базы данных:

•