Твердотельная электроника

Быстродействующие детекторы УФ-излучения на основе пленок Ga$_2$O$_3$

Д. А. Алмаев^ab, А. В. Цымбалов^a, В. В. Копьев<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
^b Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Исследовано влияние температуры отжига в атмосфере Ar и времени роста пленок оксида галлия на электрические и фотоэлектрические характеристики структур Pt/Ga$_2$O$_3$. Пленки оксида галлия были получены методом ВЧ-магнетронного распыления на сапфировых подложках с базовой ориентацией (0001). Пленки Ga$_2$O$_3$ характеризуются высокой прозрачностью в длинноволновом УФ (UVA) и видимом (VIS) диапазонах $T >$ 80%. Максимальная фоточувствительность характерна для отожженных структур при 900$^\circ$C с толщиной активной области $d$ = 190 nm. Значения токовой монохроматической чувствительности и отношения сигнал/шум составили 134 mA/W и 5.2 $\cdot$ 10$^5$ a. u. соответственно при напряжении 100 V. Структуры характеризуются высоким быстродействием, наименьшие времена отклика и восстановления при напряжении 10 V составили 2.1 и 0.6 ms соответственно.

Ключевые слова: фотодетектор, оксид галлия, ВЧ-магнетронное распыление, УФ-излучение, быстродействие.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 06.05.2025
Принята в печать: 30.06.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.11.61606.49-25

Реферативные базы данных:

•