Физическое материаловедение

Влияние нанокомпозитов на мемристивные свойства конденсаторных структур Cu/(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{100-x}$/LiNbO$_3$/Cr/Cu/Cr

А. В. Ситников^ab, Ю. Е. Калинин^a, И. В. Бабкина^a, А. Е. Никонов^a, Д. С. Погребной^a, А. Р. Шакуров<sup>a

a</sup> Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования мемристивных свойств структуры Cu/(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{100-x}$/LiNbO$_3$/Cr/Cu/Cr/ситалл. Показано, что использование нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{100-x}$ позволяет реализовать комплекс практически значимых мемристивных свойств. Так, напряжение переключения из закрытого в открытое состояние конденсаторной структуры и обратно составляет $\pm$ 4 V, отношение $R_{\mathrm{off}}/R_{\mathrm{on}}$ достигает сотни единиц, число циклов обратимого резистивного переключения составляет более 10$^4$, реализуется пластичность резистивных состояний. Подтверждено, что для реализации многофиламентного резистивного переключения в диэлектрической прослойке необходимо присутствие нанокомпозита с концентрацией металлической фазы до наступления порога перколяции между верхним и нижним электродом. При этом основную роль играет структура нанокомпозита, а элементный состав гетерогенной пленки не столь существенен для реализации комплекса технологически значимых свойств мемристора.

Ключевые слова: резистивное переключение, мемристоры, нанокомпозит, ниобат лития.

Поступила в редакцию: 21.02.2025
Исправленный вариант: 19.05.2025
Принята в печать: 18.06.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.11.61600.25-25

Реферативные базы данных:

•