Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, Ю. А. Николаев, “Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H”, ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 11,страницы 86

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Твердотельная электроника

Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H

Ю. В. Крюченко^a, А. В. Саченко^a, А. В. Бобыль^b, В. П. Костылев^a, И. О. Соколовский^a, Е. И. Теруков^bc, В. Н. Вербицкий^b, Ю. А. Николаев^bc

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург

Аннотация: Для солнечных элементов (СЭ) на основе $a$-Si:H рассчитаны годовые зависимости мощностей и энергий, генерируемых единицей площади CЭ на широтах 45$^\circ$N, 50$^\circ$N, 55$^\circ$N, 60$^\circ$N и в конкретных географических пунктах России. Нормировка этих зависимостей позволяет получить представление о соответствующих годовых зависимостях для CЭ на основе других полупроводников. В совокупности с данными о среднем числе солнечных дней в году (или о суммарной продолжительности солнечного сияния за год) для конкретных районов России это позволяет, в частности, судить о перспективности этих районов для строительства солнечных электростанций. В результате определены регионы России, для которых превышение над усредненными величинами электроэнергии, производимой солнечными электростанциями, может доходить до 24%.

Поступила в редакцию: 30.01.2013