Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, Ю. А. Николаев, “Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня”, ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 11,страницы 78

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Твердотельная электроника

Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня

Ю. В. Крюченко^a, А. В. Саченко^a, А. В. Бобыль^b, В. П. Костылев^a, И. О. Соколовский^a, Е. И. Теруков^bc, В. Н. Вербицкий^b, Ю. А. Николаев^bc

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург

Аннотация: Проведено теоретическое моделирование временных зависимостей ключевых характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня. Модель позволила рассчитать временные зависимости для произвольной географической широты в пределах от 30 до 60$^\circ$ и для произвольного дня в году. Проиллюстрированы результаты расчетов для географической широты 45$^\circ$ в день равноденствия. Полученные результаты для относительных изменений характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H с достаточно хорошей точностью справедливы и для солнечных элементов на основе других полупроводников, если их КПД находится в диапазоне от 7 до 20%.

Поступила в редакцию: 05.12.2012