К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. Г. Ремесник, В. С. Варавин, “Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 10,страницы 147

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Краткие сообщения

Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

К. Д. Мынбаев^a, Н. Л. Баженов^a, А. В. Шиляев^a, С. А. Дворецкий^b, Н. Н. Михайлов^b, М. В. Якушев^b, В. Г. Ремесник^b, В. С. Варавин^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Проанализированы спектры высокотемпературной (до 300 K) фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и излучавших при комнатной температуре в диапазоне длин волн $\lambda$ = 1.5–4.3 $\mu$m. Показано, что наблюдение фотолюминесценции узкощелевого полупроводника CdHgTe при высоких температурах и особенности формы ее высокотемпературных спектров могут быть объяснены разупорядочением твердого раствора, как это имеет место, например, в твердых растворах нитридов III группы.

Поступила в редакцию: 28.01.2013