XXIX Cимпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород 10-14 марта 2025 г.
Физическая электроника

Изготовление ультратонких сверхпроводящих пленок из NbN методом катодного распыления при температуре подложек 20$^\circ$C–120$^\circ$C

Б. А. Гурович^a, Б. В. Гончаров^a, К. Е. Приходько^ab, В. Л. Столяров^a, Л. В. Кутузов^a, Д. А. Гончарова^a, Е. М. Малиева^a, М. М. Дементьева^a, Г. Ю. Голубев^a, А. С. Фролов<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123098 Москва, Россия
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия

Аннотация: Методом катодного распыления изготовлены ультратонкие пленки NbN толщиной 5.5 nm. Пленки были напылены на сапфировые подложки при различных температурах от 20$^\circ$C до 120$^\circ$C. Температура перехода в сверхпроводящее состояние в зависимости от температуры подложки при напылении составила 6.9–9.8 K. Подробно описана методика напыления ультратонких пленок NbN с использованием катодного распыления (ячейки Пеннинга). Плотность критического тока исследованных пленок лежит в диапазоне 1.12–3.5 10$^5$ A/cm$^2$.

Ключевые слова: катодное распыление, нитрид ниобия, неоднородность, температура перехода в сверхпроводящее состояние, критическая плотность тока.

Поступила в редакцию: 12.05.2025
Исправленный вариант: 12.05.2025
Принята в печать: 12.05.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.10.61346.111-25

Реферативные базы данных:

•