RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 9, страницы 146–149 (Mi jtf8548)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Краткие сообщения

Исследование структуры и свойств гетероструктурных нанопленок, созданных методами эпитаксии и ионной имплантации

Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. К. Рузибаева, А. К. Ташатов, С. Б. Донаев, Б. Б. Мавлянов

Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, г. Ташкент, Академгородок

Аннотация: Построена зонно-энергетическая диаграмма многослойных нанопленочных систем, созданных на основе Si, GaAs, CaF$_2$. Определены оптимальные режимы получения однородных пленок сложного состава.

Поступила в редакцию: 23.05.2012
Принята в печать: 29.01.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2013, 58:9, 1383–1386

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026