Твердотельная электроника

Экситонное поглощение полупроводниковых кристаллов GaAs при оптической накачке в зону проводимости

С. А. Ваганов, Д. А. Зайцев, Р. П. Сейсян

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально исследованы при $T$ = 1.7 K изменения в экситонной структуре края фундаментального поглощения кристаллов GaAs при оптической накачке лазером с энергией излучения, немного превышающей ширину запрещенной зоны. Наблюдалось увеличение амплитуды пика основного состояния экситона при сохранении энергии максимума. Зависимость интегрального поглощения от интенсивности накачки интерпретирована в рамках представлений об экситонном поляритоне – как следствие диссипативного рассеяния экситона на генерируемых накачкой свободных электронах. Решение обратной задачи для начальных уровней накачки позволяет оценить константу электрон-экситонного взаимодействия. Интегральное поглощение основного экситонного состояния при гелиевых температурах может рассматриваться как мера чистоты эпитаксиального слоя, а причины пониженного уровня насыщения интегрального поглощения, которое заметно ниже расчетного значения, определяемого силой осциллятора экситона, требуют дальнейшего изучения.

Поступила в редакцию: 31.10.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2013, 58:7, 1039–1042

Реферативные базы данных:

•