Т. С. Камилов, В. В. Клечковская, Б. З. Шарипов, Г. И. Ивакин, “Механизм насыщения фототока и возникновения отрицательной дифференциальной фотопроводимости в гетеропереходах Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М”, ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 6,страницы 128

Эта публикация цитируется в 1 статье

Твердотельная электроника

Механизм насыщения фототока и возникновения отрицательной дифференциальной фотопроводимости в гетеропереходах Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М

Т. С. Камилов^a, В. В. Клечковская^b, Б. З. Шарипов^a, Г. И. Ивакин^b

^a Ташкентский государственный технический университет им. А. Р. Беруни
^b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва

Аннотация: Работа посвящена установлению механизма насыщения фототока и возникновению отрицательной дифференциальной фотопроводимости (ФП) в гетеропереходах Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М. Структуры Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М исследованы с помощью модели встречно-включенных диодов. Измерены фотовольтамперные характеристики (ФВАХ) при постоянном и импульсном режимах высокого приложенного напряжения смещения. Установлено, что в гетеропереходах нелинейные особенности ФВАХ и кинетики ФП связаны с тепловым гашением фотопроводимости за счет самонагрева джоулевым теплом.

Поступила в редакцию: 06.12.2011
Принята в печать: 03.05.2012