Эта публикация цитируется в 17 статьях

Физическая электроника

Электронная спектроскопия наноструктур, созданных в поверхностных слоях Si, GaAs и CaF$_2$ методом низкоэнергетической ионной имплантации

Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Д. М. Муродкабилов, Х. Х. Болтаев

Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Приводится обзор экспериментальных результатов исследований поверхностных слоев Si, GaAs, CaF$_2$, созданных методом низкоэнергетической ионной имплантации. Исследования проведены методами фото- и оже-электронной спектроскопии и микроскопии.

Поступила в редакцию: 31.10.2012

 Англоязычная версия: DOI: 10.1134/S1063784213060261

Реферативные базы данных:

•