Аннотация:
Разработан метод постионизации в процессе ионного распыления, основанный на поверхностной ионизации распыленных частиц. Приведенные оценки показывают, что метод позволяет существенно повысить чувствительность метода ВИМС для ряда элементов. Экспериментально с использованием поверхностно-ионизационного метода постионизации исследован неаддитивный рост коэффициента распыления индия с увеличением количества атомов в бомбардирующих кластерах Bi$_m^+$ ($m$ = 1–7) в диапазоне энергий 2–10 keV. Данная схема детектирования нейтральных частиц может быть применена и для других способов анализа поверхности, например при лазерном испарении поверхности и электронно-стимулированной десорбции.