Аннотация:
Аналитически определена возможность гистерезисного поведения спектральных кривых резонансного отражения в условиях диполь-дипольного взаимодействия и спектрального смещения поля. Фазовое смещение действующего поля связано с изменением энергетического состояния плотной резонансной среды, образующей тонкий граничный слой. Задача рассмотрена для параметров квантоворазмерных структур на основе используемых в оптике полупроводников.