RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 1, страницы 105–109 (Mi jtf8334)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Твердотельная электроника

Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением

И. В. Греховa, А. В. Рожковa, Л. С. Костинаa, А. В. Коноваловb, Ю. Л. Фоменкоb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b АО "ВЗПП-Микрон", Воронеж

Аннотация: Рассмотрены конструктивные особенности и технологические аспекты изготовления мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением – нового энергосберегающего прибора для силовой преобразовательной техники. Приведены осциллограммы и обсуждены механизмы процессов включения и выключения микротиристорного чипа с тиристорной $n^+p'N^-n'p^+$-структурой в элементарной ячейке. Экспериментально исследовано явление развития локального динамического пробоя при выключении. Приведена осциллограмма такого процесса и продемонстрирован экспериментально наблюдаемый при плотности тока $\sim$ 150 A/cm$^2$ характер разрушения. Вольт-амперные характеристики в проводящем направлении при комнатной температуре и при 125$^\circ$C свидетельствуют о том, что при плотности тока более 60 A/cm$^2$ температурная зависимость меняет знак и становится положительной, что является принципиально важным для параллельной работы микротиристорных чипов в модуле. Показано, что по своим статистическим и динамическим характеристикам интегральные тиристоры с внешним полевым управлением при относительной простоте конструкции успешно конкурируют с базовым прибором современной силовой преобразовательной техники – биполярным транзистором с изолированным затвором.

Поступила в редакцию: 13.03.2012


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2013, 58:1, 100–104

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026